电阻在电路中用“R”加数字表示，如：R1表示编号为1的电阻。电阻在电路中的主要作用为分流、限流、分压、偏置等。

a、数标法主要用于贴片等小体积的电路，如：472 表示 47×100Ω（即4.7K）； 104则表示100K

2、电阻的色标位置和倍率关系如下表所示：

银色 / x0.01 ±10

黑色 0 +0 /

红色 2 x100 ±2

黄色 4 x10000 /

蓝色 6 x1000000 ±0.2

灰色 8 x100000000 /

电容

2、识别方法：电容的识别方法与电阻的识别方法基本相同，分直标法、色标法和数标法3种。电容的基本单位用法拉（F）表示，其它单位还有：毫法 （mF）、微法（uF）、纳法（nF）、皮法（pF）。其中：1法拉=103毫法=106微法=109纳法=1012皮法.容量大的电容其容量值在电容上直 接标明，如10 uF/16V容量小的电容其容量值在电容上用字母表示或数字表示字母表示法：1m=1000 uF 1P2=1.2PF 1n=1000PF 数字表示法：一般用三位数字表示容量大小，前两位表示有效数字，第三位数字是倍率。如：102表示10×102PF=1000PF 224表示22×104PF=0.22 uF

如：一瓷片电容为104J表示容量为0. 1 uF、误差为±5%。

晶体二极管在电路中常用“D”加数字表示，如： D5表示编号为5的二极管。

2、识别方法：二极管的识别很简单，小功率二极管的N极（负极），在二极管外表大多采用一种色圈标出来，有些二极管也用二极管专用符号来表示P极 （正极）或N极（负极），也有采用符号标志为“P”、“N”来确定二极管极性的。发光二极管的正负极可从引脚长短来识别，长脚为正，短脚为负。

稳压二极管

1、稳压二极管的稳压原理：稳压二极管的特点就是击穿后，其两端的电压基本保持不变。这样，当把稳压管接入电路以后，若由于电源电压发生波动，或其它原因造成电路中各点电压变动时，负载两端的电压将基本保持不变。

常用稳压二极管的型号及稳压值如下表：型号 1N4728 1N4729 1N4730 1N4732 1N4733 1N4734 1N4735 1N4744 1N4750 1N4751 1N4761

电感

电感一般有直标法和色标法，色标法与电阻类似。如：棕、黑、金、金表示1uH（误差5%）的电感。

变容二极管

的内部结电容容量随调制电压的变化而变化。变容二极管发生故障，主要表现为漏电或性能变差：

（2）变容性能变差时，高频调制电路的工作不稳定，使调制后的高频信号发送到对方被对方接收后产生失真。出现上述情况之一时，就应该更换同型号的变容二极管。

晶体三极管在电路中常用“Q”加数字表示，如：Q17表示编号为17的三极管。

2、晶体三极管主要用于放大电路中起放大作用，在常见电路中有三种接法。为了便于比较，将晶体管三种接法电路所具有的特点列于下表，供大家参考。

1、场效应晶体管具有较高输入阻抗和低噪声等优点，因而也被广泛应用于各种电子设备中。尤其用场效管做整个电子设备的输入级，可以获得一般晶体管很难达到的性能。

3、场效应管与晶体管的比较：

（2）场效应管是利用多数载流子导电，所以称之为单极型器件，而晶体管是即有多数载流子，也利用少数载流子导电。被称之为双极型器件。

（4）场效应管能在很小电流和很低电压的条件下工作，而且它的制造工艺可以很方便地把很多场效应管集成在一块硅片上，因此场效应管在大规模集成电路中得到了广泛的应用。

整流二极管：

开关二极管：

肖特基二极管：

光电耦合器：

晶体三极管：

NPN：8050 9013 9014 9018

AD7520 AD7521 AF7530 AD7521

8位：ADC0802 ADC0803 ADC0804 ADC0831 ADC0832 ADC0834 ADC0838（A/D）

CA3080 CA3080A OTA

CA3140 CA3140A

快恢复二极管：

三位半A/D转换器：

载波稳零运算放大器：

CMOS电源电压变换器：

单片函数发生器：

通用计数器：

带BCD输出10MZ通用计数器：

单/双通用定时器：

DTMF 收发器：

JFET输入运算放大器：

FJET输入宽带高速双运算放大器：

三端可调电源：

低功耗四运算放大器：

三端可调负电压调整器：

低功耗四电压比较器：

可关断开关电源：

低功耗双运算放大器：

低功耗双电压比较器：

通用运算放大器：

精密电压 频率转换器：

微功耗基准电压二极管：

精密运算放大器：

低压音频小功率放大器：

带温度稳定器精密电压基准电路：

可调电压基准电路：

锁相环音频译码器：

双低噪声音频功率放大器：

双定时LED电子钟电路：

单片函数发生器；

5V电源多通道RS232驱动器/接收器：

七路达林顿驱动器：

编码器/译码器：

MC145023-5/8 RS232驱动器：

RS232驱动器/接收器：

四施密特可控线路驱动器：

低功率调频发射系统：

低功率调频窄频带接收器：

双运算放大器：

MC7800系列 1。0A三端正电压稳压器：

MC78L00系列 0。5A三端正电压稳压器：

MC78T00系列 3。0A正电压稳压器：

MC7900系列 1。0三端负电压稳压器：

MC79L00系列 0。1A 三端负电压稳压器：

MC79M00系列 0。5A 三端负电压稳压器：

Microchip PIC 系列单片机RS232通讯应用：

MM5369

MOC3009 MOC3012 （250V） MOC3020 MOC3023 （400V）

MT8870C MT8870C-1

MT8888C

NE555 NE555Y SA555 SE555

NE556 SA556 SE556

NE570 NE571 SA571

OP07 OP77

OP27

OP37

OP90

PC817 PC827 PC837 PC847

PT2262

PT2272

SG2524 SG3524

ST7537

TDA1521/TDA1521Q 2×12W Hi-Fi

TDA2616/TDA2616Q 2×12W Hi-Fi

TDA7000T TDA7010T

TDA7021T

TDA7040T

TDA7050

TL062 TL064

TL071 TL072 TL074

TL081 TL082 TL084

TL494

TL594

TLP521-1/TLP521-2/TLP521-4

TOP100/TOP101/TOP102/TOP103/TOP104 TOP200/TOP201/TOP202/TOP203/TOP204/TOP214 TOP209/TOP210

ULN2803 ULN2804

二级管的分类及特性

半导体二极管主要是依靠PN结而工作的。与PN结不可分割的点接触型和肖特基型，也被列入一般的二极管的范围内。包括这两种型号在内，根据PN结构造面的特点，把晶体二极管分类如下：

点接触型二极管是在锗或硅材料的单晶片上压触一根金属针后，再通过电流法而形成的。因此，其PN结的静电容量小，适用于高频电路。但是，与面结型相比较，点接触型二极管正向特性和反向特性都差，因此，不能使用于大电流和整流。因为构造简单，所以价格便宜。对于小信号的检波、整流、调制、混频和限幅等一般用途而言，它是应用范围较广的类型。

键型二极管是在锗或硅的单晶片上熔接或银的细丝而形成的。其特性介于点接触型二极管和合金型二极管之间。与点接触型相比较，虽然键型二极管的PN结电容量稍有增加，但正向特性特别优良。多作开关用，有时也被应用于检波和电源整流（不大于50mA）。在键型二极管中，熔接金丝的二极管有时被称金键型，熔接银丝的二极管有时被称为银键型。

在N型锗或硅的单晶片上，通过合金铟、铝等金属的方法制作PN结而形成的。正向电压降小，适于大电流整流。因其PN结反向时静电容量大，所以不适于高频检波和高频整流。

在高温的P型杂质气体中，加热N型锗或硅的单晶片，使单晶片表面的一部变成P型，以此法PN结。因PN结正向电压降小，适用于大电流整流。最近，使用大电流整流器的主流已由硅合金型转移到硅扩散型。

PN结的制作方法虽然与扩散型相同，但是，只保留PN结及其必要的部分，把不必要的部分用药品腐蚀掉。其剩余的部分便呈现出台面形，因而得名。初期生产的台面型，是对半导体材料使用扩散法而制成的。因此，又把这种台面型称为扩散台面型。对于这一类型来说，似乎大电流整流用的产品型号很少，而小电流开关用的产品型号却很多。

在半导体单晶片（主要地是N型硅单晶片）上，扩散P型杂质，利用硅片表面氧化膜的屏蔽作用，在N型硅单晶片上仅选择性地扩散一部分而形成的PN结。因此，不需要为调整PN结面积的药品腐蚀作用。由于半导体表面被制作得平整，故而得名。并且，PN结合的表面，因被氧化膜覆盖，所以公认为是稳定性好和寿命长的类型。最初，对于被使用的半导体材料是采用外延法形成的，故又把平面型称为外延平面型。对平面型二极管而言，似乎使用于大电流整流用的型号很少，而作小电流开关用的型号则很多。

它是合金型的一种。合金材料是容易被扩散的材料。把难以制作的材料通过巧妙地掺配杂质，就能与合金一起过扩散，以便在已经形成的PN结中获得杂质的恰当的浓度分布。此法适用于制造高灵敏度的变容二极管。

用外延面长的过程制造PN结而形成的二极管。制造时需要非常高超的技术。因能随意地控制杂质的不同浓度的分布，故适宜于制造高灵敏度的变容二极管。

基本原理是：在金属（例如铅）和半导体（N型硅片）的接触面上，用已形成的肖特基来阻挡反向电压。肖特基与PN结的整流作用原理有根本性的差异。其耐压程度只有40V左右。其特长是：开关速度非常快：反向恢复时间trr特别地短。因此，能制作开关二极和低压大电流整流二极管。

1、检波用二极管

2、整流用二极管

3、限幅用二极管

4、调制用二极管

5、混频用二极管

6、放大用二极管

7、开关用二极管

8、变容二极管

9、频率倍增用二极管

10、稳压二极管

11、PIN型二极管（PIN Diode）

12、 雪崩二极管 (Avalanche Diode)

13、江崎二极管 （Tunnel Diode）

14、快速关断（阶跃恢复）二极管 (Step Recovary Diode)

15、肖特基二极管 （Schottky Barrier Diode）

16、阻尼二极管

17、瞬变电压抑制二极管

18、双基极二极管（单结晶体管）

19、发光二极管

三、根据特性分类

1、一般用点接触型二极管

2、高反向耐压点接触型二极管

3、高反向电阻点接触型二极管

4、高传导点接触型二极管

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